YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
作者:标准资料网 时间:2024-05-12 02:56:59 浏览:9354
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基本信息
标准名称: | 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 |
中标分类: | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
ICS分类: | 电气工程 >> 半导体材料 |
发布部门: | 中国有色金属工业总公司 |
发布日期: | 1992-03-09 |
实施日期: | 1993-01-01 |
首发日期: | |
作废日期: | |
提出单位: | 中国有色金属工业总公司标准计量研究 |
起草单位: | 上海市有色金属总公司半导体材料i |
起草人: | 吴耀芬、姚保纲、周康权 |
出版日期: | 1993-01-01 |
页数: | 3页 |
适用范围
本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法
本标 准 适 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝
外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错,其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的),或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.
前言
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目录
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引用标准
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所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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